英诺赛科宣布已于近日与全球AI技术领导者NVIDIA（“英伟达”）达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。

本公司的第三代GaN器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性，为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。

随着GaN技术与英伟达800 VDC供电架构的融合，未来几年，AI数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级的飞跃，开启更高效、更可靠、更环保的AI计算时代。

英诺赛科第三代700V GaN全面上市，能效提升30%，热管理升级！

英诺赛科(Innoscience)，全球氮化镓(GaN)功率半导体领导者今日宣布其第三代(Gen3) 700V 增强型氮化镓功率器件系列正式全面上市！该系列凭借更小尺寸、更快开关速度、更高效率的显著优势，在关键性能指标上实现突破性进展，为电源系统设计树立新标杆。

核心性能跃升 (相较Gen2.5)      

芯片面积缩减30%：通过先进的工艺优化与结构创新，显著提升硅片利用率，助力实现更高功率密度设计

开关性能提升20-30%，电容降低20-30%：有效降低开关损耗与驱动损耗，显著提升系统整体效率

热性能优化：在同等应用条件下，芯片壳温可降低3-6°C，大幅增强系统长期运行可靠性

丰富封装，满足多元需求

全新Gen3 700V系列提供丰富的标准封装选项，满足多元化应用场景需求：

DFN5x6 (极致紧凑)

DFN8x8 (平衡性能与尺寸)

TO252 (通用性强，散热佳)

SOT223 (经典封装)

其中，采用TO252封装的旗舰型号INN700TK100E，其典型导通电阻(Ron)低至74mΩ，突破了传统TO252封装器件的性能极限，可高效支持高达500W的应用功率等级。

应用拓展与升级

得益于更低的导通电阻(Ron)和开关损耗，Gen3 700V系列为以下应用领域带来更高效率、更小尺寸的解决方案：

• PD快充/适配器 (尤其高功率)

• LED照明驱动电源

• 智能家电电源

• 数据中心服务器电源

• 工业开关电源(SMPS)

• 为设计创造核心价值 

英诺赛科第三代700V GaN技术通过实质性的核心参数优化，为电源设计工程师带来多重价值：

• 提升系统能效：显著降低开关损耗与导通损耗

• 优化热管理：降低器件工作温度，提升系统可靠性

• 节省空间与成本：缩小芯片及系统整体尺寸，减少外围元件需求

• 简化设计升级：提供与现有方案兼容的标准封装和平滑升级路径

英诺赛科Gen3 700V氮化镓功率器件系列，以其可量化的性能优势——更小的尺寸、更快的速度、更高的效率以及优化的热管理，为电源设计工程师提供了创新的高性能解决方案，是实现更高功率密度、更高系统效率设计目标的理想选择。